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大多数过渡金属硫化物（TMDs）的催化活性位点往往在材料的边缘之前报道过的MoS2在其晶体和无定形形式中，联2力消都具有良好的电催化活性。月电低浓度的NaClO溶液各向异性地将MoS2刻蚀成特殊形状。

优化的ca-MoS2粉末，费情表现出增强的HER性能，在0.5mA·cm-2的电流密度下，具有0.34V的过电势，Tafel斜率均小于其他材料。该化学蚀刻方法为在原子结构修饰TMDs提供了一种新方法，中电可以调控层状TMDs电化学性质和新型晶体管制造。在该实验中，联2力消化学活化的MoS2（ca-MoS2）被系统地表征和优化。

对于无缺陷的MoS2晶体，月电刻蚀从样品边缘开始。【成果简介】近日，费情中国湖南大学的王双印教授和刘松教授，费情以及新加坡国立大学的SlavenGaraj教授（通讯作者）等人，开发了一种有效的、可扩展的方法，用次氯酸钠（NaClO）溶液各向异性蚀刻MoS2，显著地改变其边缘结构。

缺陷工程可以获得MoS2基面上的高密度三角形凹坑，中电增加了材料的电催化活性位点。

本文展示了一种简单且非侵蚀性的方法，联2力消用次氯酸钠（NaClO）溶液各向异性地蚀刻MoS2，借助O2plasma预处理，在其表面制备大量的HER活性位点月电下面我们一起来看看吧。

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